IRG4RC20FTRLPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4RC20FTRLPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak

得捷:
IGBT 600V 22A 66W DPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IRG4RC20FTRLPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 66000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 66 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4RC20FTRLPBF

型号： IRG4RC20FTRLPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号IRG4RC20FTRLPBF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4RC20FTRLPBF Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4RC20FPBF 英飞凌	完全替代	IRG4RC20FTRLPBF和IRG4RC20FPBF的区别
IRG4RC20FTRPBF 英飞凌	完全替代	IRG4RC20FTRLPBF和IRG4RC20FTRPBF的区别
IRG4RC20F 英飞凌	完全替代	IRG4RC20FTRLPBF和IRG4RC20F的区别