IHD10N60RA参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHD10N60RA概述

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT Trench 600V 20A 110W Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO252-3

贸泽:
IGBT Transistors Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

IHD10N60RA中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 110 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IHD10N60RA

描述：逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode