IRG4BC10KPBF

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IRG4BC10KPBF概述

IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

IGBT - 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 9A 38W TO220AB


贸泽:
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; TO220AB


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Newark:
# INFINEON  IRG4BC10KPBF  IGBT Single Transistor, 9 A, 2.39 V, 38 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins


Win Source:
IGBT 600V 9A 38W TO220AB


IRG4BC10KPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 38 W

耗散功率 38 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRG4BC10KPBF
型号: IRG4BC10KPBF
描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
替代型号IRG4BC10KPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG4BC10KPBF

Infineon 英飞凌

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IRG4BC10KDPBF

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完全替代

IRG4BC10KPBF和IRG4BC10KDPBF的区别

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