IRG4BC10UPBF

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IRG4BC10UPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT - 600 V 8.5 A 38 W Through Hole TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB


IRG4BC10UPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 38000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4BC10UPBF
型号: IRG4BC10UPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin3+Tab TO-220AB
替代型号IRG4BC10UPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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