IXGN200N60

IXGN200N60图片1
IXGN200N60概述

IGBT 晶体管 200 Amps 600V

IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B


贸泽:
IGBT 晶体管 200 Amps 600V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin SOT-227B


IXGN200N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9nF @25V

额定功率Max 600 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.3 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGN200N60
型号: IXGN200N60
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V
替代型号IXGN200N60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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