IXGN60N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGN60N60概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 250000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路 600 V 100 A 250 W 底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 250000mW 4-Pin SOT-227B

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 4-Pin SOT-227B

IXGN60N60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 100 A

耗散功率 250000 mW

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGN60N60

型号： IXGN60N60

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 250000mW 4Pin SOT-227B