IRGI4061DPBF

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IRGI4061DPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IGBT 沟道 600 V 20 A 43 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 20A 43W TO220FP


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak


Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE


IRGI4061DPBF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 43 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGI4061DPBF
型号: IRGI4061DPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

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