IRGS4086PBF

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IRGS4086PBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 300V 70A 160000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT 沟道 300 V 70 A 160 W 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 300V 70A 160W D2PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 70A 160000mW 3-Pin2+Tab D2PAK


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 70A 160000mW 3-Pin2+Tab D2PAK


IRGS4086PBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 160000 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGS4086PBF
型号: IRGS4086PBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 70A 160000mW 3Pin2+Tab D2PAK

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