IRG4RC10SDTRLP参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4RC10SDTRLP概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 600 V 14 A 38 W 表面贴装型 D-Pak

得捷:
IGBT 600V 14A 38W DPAK

IRG4RC10SDTRLP中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 38 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4RC10SDTRLP

型号： IRG4RC10SDTRLP

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号IRG4RC10SDTRLP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4RC10SDTRLP Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4RC10SDTRPBF 英飞凌	完全替代	IRG4RC10SDTRLP和IRG4RC10SDTRPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4RC10SDTRLP

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4RC10SDTRPBF

英飞凌

完全替代