IXEN60N120D1

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IXEN60N120D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 445000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 NPT 单路 1200 V 100 A 445 W 底座安装 SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B


贸泽:
IGBT Transistors 60 Amps 1200V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227B


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227B


TME:
Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 445W; SOT227B


IXEN60N120D1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 445 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.8nF @25V

额定功率Max 445 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXEN60N120D1
型号: IXEN60N120D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 445000mW 4Pin SOT-227B

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