IXSN50N60BD2

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IXSN50N60BD2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B

IGBT Module Single 600V 75A 250W Chassis Mount SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B


IXSN50N60BD2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.85nF @25V

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN50N60BD2
型号: IXSN50N60BD2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B
替代型号IXSN50N60BD2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSN50N60BD2

IXYS Semiconductor

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IXXN100N60B3H1

IXYS Semiconductor

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