IXSN35N100U1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXSN35N100U1概述

IGBT 64A 1000V SOT-227B

IGBT 模块单路 1000 V 38 A 205 W 底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B

Win Source:
IGBT 64A 1000V SOT-227B

IXSN35N100U1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

输入电容Cies 4.5nF @25V

额定功率Max 205 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN35N100U1

型号： IXSN35N100U1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 64A 1000V SOT-227B