IXSN35N120AU1

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IXSN35N120AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路 1200 V 70 A 300 W 底座安装 SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 1200V 70A 300W SOT227B


贸泽:
IGBT Transistors 35 Amps 1200V 4 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4-Pin SOT-227B


IXSN35N120AU1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.9nF @25V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN35N120AU1
型号: IXSN35N120AU1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4Pin SOT-227B
替代型号IXSN35N120AU1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSN35N120AU1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

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