IXGN60N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGN60N60C2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 480000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路 600 V 75 A 480 W 底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B

IXGN60N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.75nF @25V

额定功率Max 480 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGN60N60C2D1

型号： IXGN60N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 480000mW 4Pin SOT-227B