IXGN80N60A2

IXGN80N60A2图片1
IXGN80N60A2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 - 单路 底座安装 SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B


贸泽:
IGBT Transistors 80 Amps 600V 1.35 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4-Pin SOT-227B


IXGN80N60A2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGN80N60A2
型号: IXGN80N60A2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B
替代型号IXGN80N60A2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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