IXSN62N60U1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSN62N60U1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 4Pin SOT-227B

IGBT Module PT Single 600V 90A 250W Chassis Mount SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 90A 250W SOT227B

贸泽:
IGBT Transistors 90 Amps 600V 2.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 4-Pin SOT-227B

IXSN62N60U1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.5nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN62N60U1

型号： IXSN62N60U1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 4Pin SOT-227B

替代型号IXSN62N60U1