IXSN80N60AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSN80N60AU1概述

IGBT 100A 600V SOT-227B

IGBT Module Single 600V 160A 500W Chassis Mount SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 160A 500W SOT227B

贸泽:
IGBT Transistors 80 Amps 600V

IXSN80N60AU1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 8.5nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.3 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN80N60AU1

型号： IXSN80N60AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 100A 600V SOT-227B

替代型号IXSN80N60AU1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXSN80N60AU1 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXXN100N60B3H1 IXYS Semiconductor	类似代替	IXSN80N60AU1和IXXN100N60B3H1的区别

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IXSN80N60AU1

IXYS Semiconductor

当前型号

IXXN100N60B3H1

IXYS Semiconductor

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