IS42S32200E-6BL

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IS42S32200E-6BL概述

64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin W-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90FBGA


IS42S32200E-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 160 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32200E-6BL
型号: IS42S32200E-6BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS
替代型号IS42S32200E-6BL
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IS42S32200E-6BL

Integrated Silicon SolutionISSI

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