N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHM830TR2PBF, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 40A; 37W; PQFN3.3X3.3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
额定功率 37 W
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.7 W
产品系列 IRFHM830
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2155pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 37 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VQFN-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VQFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17