Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
漏源极电阻 17.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF8707
输入电容 760pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
输入电容Ciss 760pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF8707TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6690A 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF8707TRPBF和FDS6690A的区别 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | IRF8707TRPBF和STS11NF30L的区别 |
SI4386DY-T1-E3 威世 | 功能相似 | IRF8707TRPBF和SI4386DY-T1-E3的区别 |