P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
双 P 通道功率 MOSFET，Infineon
Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 P 通道配置。
欧时:
International Rectifier 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS9351TR2PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
极性 Dual P-Channel, P-Channel
耗散功率 1.40 W
产品系列 IRFHS9351
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 160pF @25VVds
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVQFN-6
长度 2.1 mm
宽度 2.1 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerVQFN-6
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC