N沟道,60V,3.5A,30mΩ@4.5V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 20 Milliohms; ID 7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7478
输入电容 1740pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 2.60 ns
输入电容Ciss 1740pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7478TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STS7NF60L 意法半导体 | 功能相似 | IRF7478TRPBF和STS7NF60L的区别 |
FDS4480 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7478TRPBF和FDS4480的区别 |
FDS5690 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7478TRPBF和FDS5690的区别 |