INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
* Generation V Technology
* Ultra Low On-Resistance
* Dual N-Channel MOSFET
* Surface Mount
* Available in Tape & Reel
* Dynamic dv/dt Rating
* Fast Switching
* Lead-Free
e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
额定电压DC 55.0 V
额定电流 4.70 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.043 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7341
阈值电压 1 V
输入电容 780pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
上升时间 3.20 ns
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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