INTERNATIONAL RECTIFIER IRF6216TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -2.2A, -150V, 8-SOIC
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
针脚数 8
漏源极电阻 0.24 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF6216
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids -2.20 A
输入电容Ciss 1280pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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