P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDSON 0.04Ohm; ID -6.7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -6.70 A
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7404
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V
连续漏极电流Ids 6.70 A
上升时间 32.0 ns
热阻 50℃/W RθJC
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC