N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 0.15Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 150W; VGS +/-20V; -55
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
产品系列 IRF640NS
输入电容 1160pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 19.0 ns
热阻 1℃/W RθJC
输入电容Ciss 1160pF @25VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF640NSTRLPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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