IRF6614TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 5.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 mW
产品系列 IRF6614
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 10.1 A
输入电容Ciss 2560pF @20VVds
额定功率Max 2.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric ST
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric ST
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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型号： IRF6614TR1PBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：Trans MOSFET N-CH Si 40V 12.7A 7Pin Direct-FET ST T/R