IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 30A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0022Ω/Ohm @30A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.55-2.45V 耗散功率Pd Power Dissipation| Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile <0.7 mm Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容
额定电压DC 20.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 0.00165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6619
阈值电压 2.45 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 5040pF @10VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 MT
封装 MT
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6619TR1 International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6619TR1PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6619TR1和IRF6619TR1PBF的区别 |