IPT020N10N3

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IPT020N10N3概述

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPT020N10N3


欧时:
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET MV POWER MOS


e络盟:
# INFINEON  IPT020N10N3  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 300A 2mOhm HSOF-8 **


力源芯城:
100V,300A,2mOhm,N沟道功率MOSFET


IPT020N10N3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 300A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 11200pF @50VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOF-8

外形尺寸

长度 10.58 mm

宽度 10.1 mm

高度 2.4 mm

封装 HSOF-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Telecom, Point-of-load POL

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IPT020N10N3
型号: IPT020N10N3
描述:Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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