Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
IPT020N10N3
欧时:
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
# INFINEON IPT020N10N3 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 300A 2mOhm HSOF-8 **
力源芯城:
100V,300A,2mOhm,N沟道功率MOSFET
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 300A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 11200pF @50VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOF-8
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
高度 2.4 mm
封装 HSOF-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Telecom, Point-of-load POL
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR