IPD50R1K4CE中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 6 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPD50R1K4CE
型号： IPD50R1K4CE
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPD50R1K4CE 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V