Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 3
漏源极电阻 0.0159 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1091pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Lighting, Solenoids control, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD30N06S2L-23 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD30N06S2L-23 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N06S2L-23和SPD30N06S2L-23的区别 |