IPT059N15N3

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IPT059N15N3概述

INFINEON  IPT059N15N3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


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IPT059N15N3


欧时:
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# INFINEON  IPT059N15N3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


儒卓力:
**N-CH 150V 155A 5,9mOhm HSOF-8 **


IPT059N15N3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 155A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 5400pF @75VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-HSOF-8-1

外形尺寸

长度 10.58 mm

宽度 10.1 mm

高度 2.4 mm

封装 PG-HSOF-8-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Telecom, Point-of-load POL

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: IPT059N15N3
描述:INFINEON  IPT059N15N3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V

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