INFINEON IPD30N10S3L-34 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 标准)
立创商城:
IPD30N10S3L-34
得捷:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 30A 31mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.0258 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 57 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1976pF @25VVds
额定功率Max 57 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD30N10S3L-34 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
NTE2930 NTE Electronics | 功能相似 | IPD30N10S3L-34和NTE2930的区别 |