IPD30N10S3L-34

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IPD30N10S3L-34概述

INFINEON  IPD30N10S3L-34  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

OptiMOS™T 功率 MOSFET

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品(符合 RoHS 标准)


立创商城:
IPD30N10S3L-34


得捷:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 30A 31mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3


IPD30N10S3L-34中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0258 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 57 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1976pF @25VVds

额定功率Max 57 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPD30N10S3L-34
型号: IPD30N10S3L-34
描述:INFINEON  IPD30N10S3L-34  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
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