IPS050N03L G

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IPS050N03L G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 13 ns

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPS050N03L G
型号: IPS050N03L G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin TO-251 Tube

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