IPD65R380C6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD65R380C6
型号： IPD65R380C6
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPD65R380C6
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD65R380C6 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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