IPB123N10N3 G概述
INFINEON IPB123N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V
Summary of Features:
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- Excellent switching performance
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- World’s lowest R DSon
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- Very low Q g and Q gd
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- RoHS compliant-halogen free
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- MSL1 rated 2
Benefits:
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- Environmentally friendly
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- Increased efficiency
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- Highest power density
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- Less paralleling required
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- Smallest board-space consumption
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- Easy-to-design products
IPB123N10N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0107 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPB123N10N3 G
型号： IPB123N10N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPB123N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V