INFINEON IPD50N10S3L-16 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V
* N-channel - Enhancement mode * Automotive AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green product RoHS compliant * 100% Avalanche tested
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IPD50N10S3L-16
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Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin TO-252 T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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**N-CH 100V 50A 15mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 3215pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N10S3L-16 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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