IPB144N12N3 G

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IPB144N12N3 G概述

INFINEON  IPB144N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPB144N12N3 G


欧时:
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艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin2+Tab TO-263


DeviceMart:
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3


IPB144N12N3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0123 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 107 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 9 nS

输入电容Ciss 2420pF @60VVds

下降时间 4 nS

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.572 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: IPB144N12N3 G
描述:INFINEON  IPB144N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V

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