INFINEON IPD70N10S3L-12 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 标准)
立创商城:
IPD70N10S3L-12
欧时:
### Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 70A 12mOhm TO252-3 **
力源芯城:
100V,70A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.0096 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 5550pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 48V DC/DC, HID lighting, 48V inverter
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD70N10S3L-12 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STI70N10F4 意法半导体 | 功能相似 | IPD70N10S3L-12和STI70N10F4的区别 |