IPD60R450E6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.41 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 9.2A
输入电容Ciss 620pF @100VVds
额定功率Max 74 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPD60R450E6
型号： IPD60R450E6
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPD60R450E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPD60R450E6
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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