INFINEON IPD30N06S2-15 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 3
漏源极电阻 0.0113 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1485pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Single-ended motors, Lighting, Valves control, Solenoids control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD30N06S2-15 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N06S215ATMA2 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N06S2-15和IPD30N06S215ATMA2的区别 |
SPD30N06S2-15 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N06S2-15和SPD30N06S2-15的区别 |