IPB50R140CP

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IPB50R140CP概述

INFINEON  IPB50R140CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 550V 23A


欧时:
### Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 500V 23A 140mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263


IPB50R140CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 192 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 2540pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 192W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IPB50R140CP引脚图与封装图
IPB50R140CP引脚图
IPB50R140CP封装焊盘图
在线购买IPB50R140CP
型号: IPB50R140CP
描述:INFINEON  IPB50R140CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPB50R140CP
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IPB50R140CP

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STB32NM50N

意法半导体

功能相似

IPB50R140CP和STB32NM50N的区别

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