IPB600N25N3 G概述
INFINEON IPB600N25N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Industry’s lowest R DSon
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- Lowest Q g and Q gd
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- World’s lowest FOM RoHS comliant − halogen free MSL 1 rated
Benefits:
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- Highest efficiency
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- Highest Power density
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- Lowest board space consumption
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- Minimal device paralleling required
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- System cost improvement
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- Enviromentally friendly
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- Easy-to-design-in products
IPB600N25N3 G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2350pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPB600N25N3 G
型号： IPB600N25N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPB600N25N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V