INFINEON IPB65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
e络盟:
# INFINEON IPB65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 18A 190mOhm TO263-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
针脚数 3
漏源极电阻 0.171 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 151 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 1850pF @100VVds
额定功率Max 151 W
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99