INFINEON IPB60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 600V 37.9A
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
额定功率 278 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 278 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 37.9A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2660pF @100VVds
额定功率Max 278 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 278W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB60R099C6 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB60R099CPA 英飞凌 | 类似代替 | IPB60R099C6和IPB60R099CPA的区别 |