IPB60R099C6

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IPB60R099C6概述

INFINEON  IPB60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 37.9A


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263


IPB60R099C6中文资料参数规格
技术参数

额定功率 278 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 37.9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

额定功率Max 278 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB60R099C6
型号: IPB60R099C6
描述:INFINEON  IPB60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
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