IPB180N06S4-H1

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IPB180N06S4-H1概述

INFINEON  IPB180N06S4-H1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品(符合 RoHS 标准)

### MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPB180N06S4-H1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 16840pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-7

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPB180N06S4-H1
型号: IPB180N06S4-H1
描述:INFINEON  IPB180N06S4-H1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
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