INFINEON IPB60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 600V 21A
欧时:
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 21.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 3 V
输入电容 2.00 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17