INFINEON IPB65R660CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
e络盟:
# INFINEON IPB65R660CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 6A 660mOhm TO263-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.594 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99