IPB180P04P4L-02

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IPB180P04P4L-02概述

INFINEON  IPB180P04P4L-02  晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


立创商城:
IPB180P04P4L-02


欧时:
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; 150W; PG-TO263-7


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET -40V 2,4mOHM TO263 **


IPB180P04P4L-02中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 14400pF @25VVds

下降时间 119 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: IPB180P04P4L-02
描述:INFINEON  IPB180P04P4L-02  晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

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