INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
IPB65R110CFD
欧时:
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
650V,31.2A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
针脚数 3
漏源极电阻 0.099 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 277.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 31.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 3240pF @100VVds
额定功率Max 277.8 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 277.8W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17